[딥네트워크의 EUV 장비 고민사항][EUV 장비의 13.5 nm 의 광파장 E-Beam 을 전기장과 자기장을 제어해서 3 나노 회로 선폭의 정밀도로 광파장을 정확한 위치에 쏘는것이 핵심 입니다]

반도체 파운드리 공장에서 3 나노 회로 패턴을 만드는 방법은 다음과 같습니다.

먼저 웨이퍼 위에 감광액이라는 빛에 민감한 물질을 얇게 도포합니다. 감광액의 두께와 균일성이 매우 중요하며, 회전 코팅 방법 등이 사용됩니다.
다음으로 노광장비라는 기계에 웨이퍼를 넣고, 반도체 설계도인 마스크를 씌웁니다. 마스크에 특정 파장의 빛을 통과시켜 웨이퍼에 회로 패턴을 프린팅합니다. 이때, 노광의 시간과 빛의 강도가 회로의 정밀도에 큰 영향을 미칩니다.
그 후에 감광액을 화학 용액에 담가서 빛을 쏘인 부분이나 쏘지 않은 부분을 제거합니다. 이 과정을 통해 웨이퍼 위에 나노 단위의 미세한 회선들이 그려집니다.
이렇게 만들어진 회로 패턴은 다른 공정을 거쳐 반도체 칩으로 완성됩니다.           

나는  3 나노 회로 선폭을 웨이퍼에 회로를 새기는 작업이 어떻게 되는지가 가장 궁금했다 ...   EUV 장비의 13.5 nm 의 광파장을 E-Beam 이라고 부르는데  3 나노 회로 선폭을 웨이퍼에 회로를 새기는 작업의 핵심이   EUV 장비가 13.5 nm 의 광파장인 E-Beam 을 웨이퍼에 쏠때 어떻게 제어해서   3 나노 회로 선폭의 정밀도로 광파장을 정확한 위치에 쏠수 있을까가  EUV 장비의 핵심 이더라구요 ....    EUV 장비의 13.5 nm 의 광파장 E-Beam  을 전기장과 자기장을 제어해서  3 나노 회로 선폭의 정밀도로 광파장을 정확한 위치에  쏘는것 이더군요 ...   EUV 장비의 13.5 nm 의 광파장 E-Beam  을 전기장과 자기장을 제어해서  3 나노 회로 선폭의 정밀도로 광파장을 정확한 위치에  쏘는것이 핵심 이라는것은 파악했는데  이것을 구현하려면   광파장 E-Beam  을 웨이퍼로 쏠때 이때  E-Beam 의 미세한 방향제어를  E-Beam  발사 과정에서  전기장과 자기장을 가하는  초정밀 제어로  한번에 가능할것 같지는 않고 이것 구현이 시행착오를 많이 해야 할것 같읍니다 ...      딥네트워크는 이런것들 고민하고 있읍니다 .... 

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