팹리스(Fabless) 업체가 시스템 온 칩(SoC) 반도체를 설계한 후, 해당 디자인 파일을 극자외선(EUV) 리소그래피 장비를 통해 포토마스크에 회로 패턴으로 새기는 과정은 다음과 같습니다:
- 설계 데이터 준비 및 변환:
- 팹리스 업체는 SoC의 설계 데이터를 GDSII 또는 OASIS 형식의 파일로 생성합니다.
- 이 데이터를 포토마스크 제작에 적합한 형식으로 변환하는 '마스크 데이터 준비(MDP)' 과정을 거칩니다.
- 광학 근접 보정(OPC):
- 리소그래피 공정 중 발생하는 패턴 왜곡을 보정하기 위해 OPC를 수행하여 설계 데이터를 수정합니다.
- 포토마스크 제작:
- 블랭크 마스크 준비: 석영(쿼츠) 기판 위에 크롬층을 증착하고, 그 위에 포토레지스트를 도포하여 블랭크 마스크를 만듭니다.
- 전자빔 리소그래피: 전자빔을 사용하여 포토레지스트에 설계된 패턴을 직접 그립니다.
- 현상 및 식각: 노광된 포토레지스트를 현상하여 노출된 부분을 제거하고, 크롬층을 식각하여 패턴을 형성합니다.
- 포토레지스트 제거: 남은 포토레지스트를 제거하여 최종 포토마스크를 완성합니다.
- EUV 리소그래피를 통한 웨이퍼 패터닝:
- 포토레지스트 도포: 웨이퍼 표면에 EUV에 감광되는 포토레지스트를 균일하게 도포합니다.
- 노광: EUV 광원을 사용하여 포토마스크의 패턴을 웨이퍼에 전사합니다.
- 현상: 노광된 포토레지스트를 현상하여 원하는 패턴을 드러냅니다.
- 식각: 드러난 부분을 식각하여 웨이퍼에 실제 회로 패턴을 형성합니다.
- 포토레지스트 제거: 남은 포토레지스트를 제거하여 공정을 완료합니다.
이러한 과정을 통해 팹리스 업체의 설계 데이터는 EUV 리소그래피 공정을 거쳐 웨이퍼에 미세한 반도체 회로로 구현됩니다.
일인 AI 스타트업 딥네트워크는 위에 소개된 내용은 제가 파악하고 있는 내용의 일부를 소개드리는것 이구요 ...
저희 딥네트워크는 EUV 장비 / 증착 장비 / 식각 장비 관련해서 위에 소개드린 기술 이슈 분석 보다도 훨씬 심도 있는 분석 자료를 보유하고 있읍니다 ... 파운드리 에서 EUV 장비 / 증착 장비 / 식각 장비 운영시 어느 어느 기술 이슈가 중요하고 어떻게 처리되야 하는지도 상세히 파악하고 있읍니다 ...
일인 AI 스타트업 딥네트워크 CEO / CTO 장석원 / sayhi7@daum.net
많은 자문 문의 부탁드립니다 ....